| Référence fabricant : | GP1M007A090FH |
|---|---|
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Fabricant / marque : | Global Power Technologies Group |
| Etat du stock : | En stock |
| La description : | MOSFET N-CH 900V 7A TO220F |
| Bateau de : | Hong Kong |
| Livret des spécifications : | GP1M007A090FH.pdf |
| Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Numéro de pièce | GP1M007A090FH |
|---|---|
| Fabricant | SemiQ |
| La description | MOSFET N-CH 900V 7A TO220F |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | En stock |
| Livret des spécifications | GP1M007A090FH.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 4V @ 250µA |
| Vgs (Max) | ±30V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-220F |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 1.9 Ohm @ 3.5A, 10V |
| Dissipation de puissance (max) | 40.3W (Tc) |
| Emballage | Tube |
| Package / Boîte | TO-220-3 Full Pack |
| Autres noms | 1560-1164-1 1560-1164-1-ND 1560-1164-5 |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 1969pF @ 25V |
| Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 49nC @ 10V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 10V |
| Tension drain-source (Vdss) | 900V |
| Description détaillée | N-Channel 900V 7A (Tc) 40.3W (Tc) Through Hole TO-220F |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 7A (Tc) |
GP1M007A065CGMOSFET N-CH 650V 6.5A DPAK
GP1M008A025FGMOSFET N-CH 250V 8A TO220FGP1M006A065FHMOSFET N-CH 650V 5.5A TO220F
GP1M006A065PHMOSFET N-CH 650V 5.5A IPAKGP1M006A070FHMOSFET N-CH 700V 5A TO220FGP1M006A070FMOSFET N-CH 700V 5A TO220FGP1M008A025PGMOSFET N-CH 250V 8A IPAK
GP1M008A025HGMOSFET N-CH 250V 8A TO220GP1M007A090HMOSFET N-CH 900V 7A TO220GP1M008A025CGMOSFET N-CH 250V 8A DPAK