Référence fabricant : | PHP63NQ03LT,127 |
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État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale |
Etat du stock : | En stock |
La description : | MOSFET N-CH 30V 68.9A TO220AB |
Bateau de : | Hong Kong |
Livret des spécifications : | PHP63NQ03LT,127.pdf |
Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
Numéro de pièce | PHP63NQ03LT,127 |
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Fabricant | Freescale / NXP Semiconductors |
La description | MOSFET N-CH 30V 68.9A TO220AB |
État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
Quantité disponible | En stock |
Livret des spécifications | PHP63NQ03LT,127.pdf |
Vgs (th) (Max) @ Id | 2.5V @ 1mA |
Vgs (Max) | ±20V |
La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Package composant fournisseur | TO-220AB |
Séries | TrenchMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 13 mOhm @ 25A, 10V |
Dissipation de puissance (max) | 111W (Tc) |
Emballage | Tube |
Package / Boîte | TO-220-3 |
Autres noms | 934057022127 PHP63NQ03LT PHP63NQ03LT-ND |
Température de fonctionnement | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Type de montage | Through Hole |
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 920pF @ 25V |
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs | 9.6nC @ 5V |
type de FET | N-Channel |
Fonction FET | - |
Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 5V, 10V |
Tension drain-source (Vdss) | 30V |
Description détaillée | N-Channel 30V 68.9A (Tc) 111W (Tc) Through Hole TO-220AB |
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 68.9A (Tc) |