| Référence fabricant : | BS108,126 |
|---|---|
| État RoHS : | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Fabricant / marque : | NXP Semiconductors / Freescale |
| Etat du stock : | En stock |
| La description : | MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 |
| Bateau de : | Hong Kong |
| Livret des spécifications : | BS108,126.pdf |
| Manière d'expédition : | DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS |
| Numéro de pièce | BS108,126 |
|---|---|
| Fabricant | Freescale / NXP Semiconductors |
| La description | MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54 |
| État sans plomb / État RoHS | Sans plomb / conforme à la directive RoHS |
| Quantité disponible | En stock |
| Livret des spécifications | BS108,126.pdf |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 1.8V @ 1mA |
| Vgs (Max) | ±20V |
| La technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
| Package composant fournisseur | TO-92-3 |
| Séries | - |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 5 Ohm @ 100mA, 2.8V |
| Dissipation de puissance (max) | 1W (Ta) |
| Emballage | Tape & Box (TB) |
| Package / Boîte | TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads) |
| Autres noms | 934003840126 BS108 AMO BS108 AMO-ND |
| Température de fonctionnement | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Type de montage | Through Hole |
| Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) | 1 (Unlimited) |
| Statut sans plomb / Statut RoHS | Lead free / RoHS Compliant |
| Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds | 120pF @ 25V |
| type de FET | N-Channel |
| Fonction FET | - |
| Tension d'entraînement (Max Rds activé, Min Rds activé) | 2.8V |
| Tension drain-source (Vdss) | 200V |
| Description détaillée | N-Channel 200V 300mA (Ta) 1W (Ta) Through Hole TO-92-3 |
| Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C | 300mA (Ta) |
BS108GMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3BS107GMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3BS107PSTOBMOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
BS107PMOSFET N-CH 200V 120MA TO92-3
BS11P-SHF-1AA(LF)(SN)CONN HEADER R/A 11POS 2.5MMBS107PSTZMOSFET N-CH 200V 120MA E-LINEBS107PSTOAMOSFET N-CH 200V 120MA E-LINE
BS108ZL1GMOSFET N-CH 200V 250MA TO92-3
BS108/01,126MOSFET N-CH 200V 300MA SOT54
BS10P-SHF-1AA(LF)(SN)CONN HEADER R/A 10POS 2.5MM