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AccueilCentre des produitsProduits semi-conducteurs discretsTransistors - FET, MOSFET - tableauxEPC2105ENG
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EPC2105ENG

Référence fabricant : EPC2105ENG
État RoHS : Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Fabricant / marque : EPC
Etat du stock : En stock
La description : TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
Bateau de : Hong Kong
Livret des spécifications : EPC2105ENG.pdf
Manière d'expédition : DHL/Fedex/TNT/UPS/EMS

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Numéro de pièce EPC2105ENG
Fabricant EPC
La description TRANS GAN 2N-CH 80V BUMPED DIE
État sans plomb / État RoHS Sans plomb / conforme à la directive RoHS
Quantité disponible En stock
Livret des spécifications EPC2105ENG.pdf
Vgs (th) (Max) @ Id 2.5V @ 2.5mA
Package composant fournisseur Die
Séries eGaN®
Rds On (Max) @ Id, Vgs 14.5 mOhm @ 20A, 5V
Puissance - Max -
Emballage Bulk
Package / Boîte Die
Autres noms EPC2105ENGR
917-EPC2105ENG
EPC2105ENGR
EPC2105ENGRH4
Température de fonctionnement -40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage Surface Mount
Niveau de sensibilité à l'humidité (MSL) 1 (Unlimited)
Statut sans plomb / Statut RoHS Lead free / RoHS Compliant
Capacité d'entrée (Ciss) (Max) @ Vds 300pF @ 40V
Charge de la porte (Qg) (Max) @ Vgs 2.5nC @ 5V
type de FET 2 N-Channel (Half Bridge)
Fonction FET GaNFET (Gallium Nitride)
Tension drain-source (Vdss) 80V
Description détaillée Mosfet Array 2 N-Channel (Half Bridge) 80V 9.5A, 38A Surface Mount Die
Courant - Drainage continu (Id) à 25 ° C 9.5A, 38A
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Téros télégraphique / fil
Transaction sans dépôt

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Autres façons d'expédition:

SF Express pour l'Asie.
Chang-woo Special Air Line pour la Corée.
Aramex pour les pays du Moyen-Orient.
D'autres moyens d'expédition, veuillez nous contacter.

Tarifs d'expédition

Le coût d'expédition est basé sur la destination, la taille et le poids, y compris l'assurance maritime.
L'expédition à taux forfaitaire est disponible pour la plupart des commandes, sauf dans les cas où le poids dépasse 25 livres.Si vous êtes dans une zone éloignée, cela peut coûter des frais supplémentaires (35-50 USD) pour la livraison dans ces zones.

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